TAJB475M025RNJ_TAJB475M025RNJ导读
针对这种需求，新洁能生产出内阻小，抗过电流能力好的N沟道沟槽工艺MOS管——NCE80H12，NCE80H12的导通电阻小于6mΩ，输出电流可达120A，电机扭矩较好，。
TAJB475M025RNJ_TAJB475M025RNJ
TAJV337M010RNJ
TPCS8205 TPCS8212 TSM6866SDCA RV UPA1852GR-9JG-A UT8205A 。
057N08N 057N08NS 05852- 06000,, 06031.5K5%_。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
TAJB475M025RNJ_TAJB475M025RNJ
TAJC106M025RNJ
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
BYM3312 BYM3312-X BYF333 BYP332 BYS332 。
BYI3245 BYN3226 BYN3232 BYS326 BYD32515Z 。
051N15N5MOS 052N06L 053P04-518 054NE8N 057N06N 。
TAJB475M025RNJ_TAJB475M025RNJ
MOSFET应用于开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等等高频电源领域；IGBT集中应用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感应加热等领域。
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