您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻AO4435产品说明

AO4435产品说明

来源: 深圳市科诚芯电子科技有限公司 发布时间:2022-04-08

公司名: 深圳市科诚芯电子科技有限公司

联系人:曾生

微信:zdy011zdy

手机:13480776253

电话:13480776253

传真:0755-28195256

地址:广东省深圳市龙华区民治街道新牛社区港深国际中心b1004

摘要:AO4435产品说明
制造商: Taiwan Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 11 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 64 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Taiwan Semiconductor
配置: Single
下降时间: 53 ns
正向跨导 - 最小值: 23 S
产品类型: MOSFET
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: P-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 83 mg