TAJB225K016RNJ_TAJB225K016RNJ导读
IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。
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TAJB106K010RNJ
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
060310R5%_060312K5%_060315K1%_060315K5%_0603180K5%_。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
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TAJV106K050RNJ
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
049N03MS 04N50C3 04N60C2 04N80C3 04-OC-TLAS03 。
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t0-t1：C GS1 开始充电，栅极电压还没有到达V GS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。
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