SPW11N60C3
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
数量：6000
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 13 A
Rds On-漏源导通电阻: 550 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 66 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商标名: SuperMESH
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 11 S
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 14 ns
系列: STW13NK60Z
包装数量：600
华富芯（深圳）智能科技有限公司
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