摘要： NTR1P02T1G ON 原装正品 颗支持验货
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel? 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.5 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 5 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
400mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
NTR1P02
