064N3S_064N3S导读
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
内阻越小承受电流越大（因为发热小）。这个电流通路的电阻被称为MOS管内阻，也就是导通电阻。这个内阻大小基本决定了MOS管芯片能承受得多大导通电流（当然和其它因素有关，如热阻）。
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03P2M
06031.8M5%_0603100K5%_0603100R5%_060310K1%_060310K5%_。
04021.5K5%_04021.6K1%_04021.8K5%_040210K1%_0402200K5%_。
TPC8223-H UPA2750GR 4936 9936 4228GM 。
STC5NF20V STG8205 STG8810 STN8205AAST8RG TM8205FC 。
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0603100R5%_0603180R5%_06031M5%_06032.2K5%_0603220R5%_060322K5%_。
040251K1%_040251R5%_040268K1%_04028.2K5%_0402E4872BITS 。
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
BYP336 BYT337 BYS334 BYS345 BYP346 。
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一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。
NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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