0603100R5%_0603100R5%导读
这要从MOS的工艺和结构说起，不管是MOS还是二极管，都是由半导体材料构成，我们都知道二极管是由一对PN结构成，见下图，P型区对应二极管的阳极，N型区对应二极管的负极。
MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。
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04023.6K5%_04023.3K1%_04023.6K5%_040233R5%_0402470K5%_040247K1%_。
040N06N 042N03L 042N03MS 043N03MS 045N10N 。
AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。
036N04L 0372BDP1 0372DP1 03N60C3 03P2J-T1 。
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09N05
BYP342-X BYJ3411 BYH3413 BYH345 BYJ345 。
BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。
060322R5%_0603270K5%_0603270R5%_060327K5%_0603330R5%_。
0402220K5%_040222R5%_040225.5K1%_0402270R5%_04022K5%_。
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一般2V～4V就可以了。但是，MOS管分为增强型（常开型）和耗尽型（常闭型），增强型的管子是需要加电压才能导通的，而耗尽型管子本来就处于导通状态，加栅源电压是为了使其截止。
导通时序可分为to~t1、t1~t2、 t2~t3 、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。
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