制造商产品编号
BSC220N20NSFDATMA1
供应商
Infineon Technologies
描述
MOSFET N-CH 200V 52A TSON-8
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
22 毫欧 @ 52A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 137μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3680 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSON-8-3
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
BSC220
