TK39N60W5
来源：
深圳市胜彬电子有限公司
发布时间：2021-12-03
摘要：N-Channel MOSFET , 2N7002 MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel MOSFET , Dual MOSFET , MOSFET MOSFET , CSD18514Q5A MOSFET
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 38.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 62 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 135 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSIV
封装: Tube
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 9 ns
高度: 20.95 mm
长度: 15.94 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 120 ns
系列: TK39N60W5
30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 200 ns
典型接通延迟时间: 180 ns
宽度: 5.02 mm
单位重量: 6 g
