IPW60R037CSFD
来源：
深圳市胜彬电子有限公司
发布时间：2021-12-03
摘要：N-Channel MOSFET , 2N7002 MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel MOSFET , Dual MOSFET , MOSFET MOSFET , CSD18514Q5A MOSFET
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 54 A
Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 136 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 245 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 196 ns
典型接通延迟时间: 53 ns
零件号别名: IPW60R037CSFD SP001927820
单位重量: 6 g
