IKW75N60T

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 428 W
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
系列: Trenchstop IGBT3
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
集电极连续电流: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
高度: 21.1 mm
长度: 16.03 mm
产品类型: IGBT Transistors
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子类别: IGBTs
商标名: TRENCHSTOP
宽度: 5.16 mm
零件号别名: SP000054889 IKW75N6TXK IKW75N60TFKSA1
单位重量: 38 g