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制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 150 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.4 V
Qg-栅极电荷: 74 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 132 W
通道模式: Enhancement
商标名: U-MOSIX-H
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 0.95 mm
长度: 5 mm
系列: U-MOSIX-H
宽度: 5 mm
商标: Toshiba
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13 ns
工厂包装数量: 5000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 58 ns
典型接通延迟时间: 33 ns
单位重量: 83 mg
