您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻SSM3K361R,LF

SSM3K361R,LF

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2021-10-25

公司名: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司

联系人:周小姐171-4729-9698(微信同号)

微信:171-4729-9698

手机:17147299698

电话:171-4729-9698

地址:深圳市福田区深南中路南光捷佳大厦2031

摘要:SSM3K361R,LF
製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 3.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 92 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V
Qg - 閘極充電: 3.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 1.2 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: U-MOSVIII-H
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 9 ns
高度: 0.9 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFETs
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
系列: SSM3K36
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 21 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
寬度: 1.3 mm
每件重量: 8 mg
製造商: Toshiba
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 3.5 A
Rds On - 漏-源電阻: 92 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V
Qg - 閘極充電: 3.2 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 1.2 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
公司名稱: U-MOSVIII-H
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Toshiba
配置: Single
下降時間: 9 ns
高度: 0.9 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFETs
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
系列: SSM3K36
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 21 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
寬度: 1.3 mm
每件重量: 8 mg

该公司相关新闻