NXV65HR82DS1

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: APMCA-16
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 4 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 26 A
Rds On-漏源导通电阻: 82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 79.7 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
Pd-功率耗散: 126 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 72
子类别: MOSFETs