MMBT5551LT1G 原装正品，可做含税，支持实单
MMBT5551LT1G
制造商: TI/德州仪器
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 160 V
集电极—基极电压 VCBO: 140 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 6 V
集电极—射极饱和电压: 0.15 V
最大直流电集电极电流: 0.6 A
Pd-功率耗散: 225 mW
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: MMBT5551L
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
集电极连续电流: 0.6 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 80
直流电流增益 hFE 最大值: 250
高度: 0.94 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
技术: Si
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
