BYN41020A_RDS035L03-TB导读
日前，Vishay Intertechnology， Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。
今天给大家介绍一款适用于锂电池保护板可替代AO3401等MOS管的国产场效应管：NCE3401。
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TPC8207
MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。
MOS管的Source和Drain是可以对调的，他们都是在P型Backgate中形成的N型区。这样的器件被认为是对称的。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。
MOS管的导电沟道，能够在制作过程中构成，也能够通过接通外部电源构成，当栅压等于零时就存在沟道（即在制作时构成的）称为耗尽型，在施加外部电压后才构成沟道的称为增强型。。
功率MOSFET普通很少选用P沟道，由于空穴的迁移率比电子的迁移率低，相同的沟道尺寸，P沟道的晶体管比N沟道的导通电阻大。图四类MOSFET和它们的图形符号。依照导电沟道和沟道构成的过程两点来分类，MOS管能够分为：P沟增强型MOS管、P沟耗尽型MOS管、N沟增强型MOS管和N沟耗尽型MOS管。 。
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AM4962NE-T1-PF
MOSFET的特性能够用搬运特性曲线和漏极输出特性曲线来表征。搬运特性是指在漏源之间的电压UDS在某一固定值时，栅极电压UGS与相对应的漏极电流ID之间的关系曲线。 。图3是某种场效应管的搬运特性。
NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。
NCE6802 NCE30H29D NCEB301Q NCEB301Q NCEB301G 。
。MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。
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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
MOS管在保护板中的作用是：1、检测过充电，2、检测过放电，3、检测充电时过电电流，4、检测放电时过电电流，5、检测短路时过电电流。
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