摘要：P-Channel MOSFET , SMD/SMT MOSFET , SMD/SMT 1 Channel P-Channel MOSFET , SMD/SMT N-Channel MOSFET , GaN MOSFET , N-Channel 3.3 V MOSFET
规格
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 400 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 150 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 190 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 44 ns
正向跨导 - 最小值: 9.3 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
系列: IRFP
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 92 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
单位重量: 6 g
