Vishay General Semiconductor – Diodes Division XFD11K XClampR 平缓钳位瞬态电压抑制二极管具有接近理想二极管的击穿特性，无论通过器件的电流有多大，其钳位电压几乎保持不变，直至达到峰值脉冲电流水平。该器件还能在较宽的温度范围内提供非常稳定的性能。凭借这项技术，该器件以 DO-218AC 封装提供 11 kW 的峰值脉冲功率额定值，相较于基准 SM8S 6.6 kW 传统负载突降 TVS 系列提高了 67%。
AEC-Q101 认证的 XFD11K 双向平缓钳位 TVS 二极管非常适合汽车应用中的负载突降保护。当交流发电机仍在运转时，该器件可在电池断开连接的情况下保护电路。XClampR 器件采用独特的设计，具有低动态电阻，可在很宽的电流范围内以及很宽的工作温度范围内使钳位电压几乎保持恒定，而不是像其他器件那样随着电流的增大而显著增加。该器件的另一个巨大优势是，它允许设计人员使用电压更低、成本更低的元器件，例如额定 VDS 较低的 MOSFET，从而节省物料清单 (BOM) 成本。
在较宽的电流和温度范围内保持稳定的钳位电压
具有优异的浪涌电流承受能力和低动态电阻
高峰值功率耗散能力（11 kW，10/1000 µs 波形）
通过 AEC-Q101 鉴定，支持 PPAP
允许使用电压更低、成本更低的器件，例如低 VDS 的 MOSFET
感性负载开关，包括汽车负载突降和 AI 热插拔
ADAS、ECU 和 OBC 应用中的汽车电路保护
电信 5G 基站和 RRU 的防雷保护
用于仪器仪表和工厂自动化（包括工业机器人）的信号线保护
用于保护电池管理系统 (BMS) 和储能系统 (ESS) 的瞬态电压钳位
