来源： 发布时间：2026-02-26
ASML攻克EUV光源核心难题，2030年芯片产量有望提升50%
近日，全球芯片制造设备巨头阿斯麦（ASML）的研究人员对外透露，他们已成功找到提升关键芯片制造设备中光源功率的核心方法。这一突破性进展意义非凡，按照ASML的预测，到2030年，这项技术有望将全球芯片产量提升多达50%，为持续承压的全球芯片制造行业带来新的增长契机。
了解芯片制造的人都清楚，ASML在行业内的地位无可替代——它是目前全球唯一一家能够商业化生产极紫外光刻（EUV）设备的公司。而EUV设备，堪称芯片制造商生产先进计算芯片的“必备神器”，像台积电、英特尔这样的行业巨头，在生产先进制程芯片时，几乎完全离不开它的支撑。
简单来说，EUV光刻机以10-14纳米波长的极紫外光作为光源，主要用于14纳米及以下的先进制程芯片制造，尤其是小于5纳米的芯片晶圆生产，更是非EUV设备不可。其工作原理并不简单：采用激光等离子体光源技术，通过高功率激光轰击锡微滴来激发等离子体，进而产生13.5纳米的极紫外光；而它的核心投影物镜系统，由多层反射镜精密构成，并且整个工作过程都需要在真空环境中进行，每一个环节都考验着顶尖的工程技术实力。
此次ASML取得的关键突破，就集中在EUV光源的功率提升上。负责EUV光源的首席技术专家Michael Purvis特意强调，这绝非噱头，也不是短期的技术演示，而是一套能够在客户实际生产使用条件下，持续稳定输出1000瓦功率的成熟系统。研究人员成功将目前EUV光源的功率从600瓦提升至1000瓦，这背后，是ASML在原本就极为复杂的技术路径上，进行深度创新和反复打磨的成果。
要产生波长精准为13.5纳米的极紫外光，ASML的设备需要在专用腔体中喷射出连续的熔融锡液滴流，随后用强大的二氧化碳激光对这些锡液滴进行加热，使其转化为等离子体——这种超高温的物质状态，温度甚至高于太阳表面，正是在这样的极端条件下，锡液滴才能释放出所需的EUV光。这些光随后会被德国Carl Zeiss AG提供的精密光学设备收集、传导，最终导入机器内部完成芯片刻写。
而此次的技术突破，主要体现在两个核心方面：一是将每秒喷射的锡液滴数量提升至约10万个，近乎实现了翻倍；二是改变了激光脉冲的使用方式，不再像此前那样仅使用一次脉冲，而是采用两次较小的激光脉冲来塑形并形成等离子体。这种细节上的创新，看似简单，实则需要对激光技术、等离子体特性有着极为精准的把控，也是此次功率提升的关键所在。
EUV光源功率的提升，对全球芯片制造行业的影响是全方位且深远的。从成本控制来看，光源功率越高，芯片曝光的速度就越快，单位时间内能够生产的芯片数量自然也就越多。ASML负责NXE系列EUV设备的执行副总裁Teun van Gogh就明确表示，到2030年，每台EUV设备每小时可处理约330片硅晶圆，相比目前的220片有了大幅提升。要知道，根据芯片尺寸的不同，每片晶圆上可容纳数十到数千颗芯片，这也就意味着，单颗芯片的生产成本将随之降低，对于缓解芯片行业的成本压力有着直接帮助。
在产能方面，这一突破更是为芯片制造商带来了福音。对于台积电、英特尔等大型芯片制造企业而言，在不增加EUV设备数量的前提下，工厂的芯片产能可直接提升约50%，能够更高效地满足全球市场对芯片日益增长的需求，尤其是在AI芯片、高端消费电子芯片等领域，产能不足的困境有望得到显著缓解。
而在技术竞争层面，此次突破进一步巩固了ASML的行业垄断地位和技术壁垒。要知道，制造千瓦级稳定输出的EUV光源，涉及激光技术、等离子体科学、材料科学等多个学科的交叉融合，技术挑战极为严苛，目前全球范围内，还没有其他企业能够突破这一技术瓶颈。这也使得ASML与潜在竞争对手之间的差距进一步拉大，短期内难以被超越。
科罗拉多州立大学教授Jorge J. Rocca在评价这一突破时直言，能够实现1000瓦的EUV光源功率，实在令人惊叹，因为这需要同时掌握众多尖端技术，缺一不可。而Michael Purvis也透露，ASML并不满足于当前的成果，实现1000瓦所采用的技术，为未来进一步提升光源功率打开了广阔空间——目前他们已经看到了一条清晰的技术路径，有望将功率提升至1500瓦，甚至从理论层面来讲，达到2000瓦也并非没有可能。
总的来说，ASML此次在EUV光源上的技术突破，无疑为全球芯片制造行业注入了一剂强心针。它不仅能够直接推动芯片产量提升、生产成本降低，更将引领整个行业向更高性能、更先进制程的方向稳步迈进，为后续AI、大数据、物联网等领域的技术发展，提供坚实的芯片硬件支撑。
