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BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。

来源: 深圳市盈慧通电子有限公司 发布时间:2025-07-22

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摘要:BSS84LT1G 是安森美半导体推出的一款 P 沟道场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT-23 封装,适用于 DC-DC 变换器、负载开关等多种应用场合。
参数:
漏源电压:最大值为 50V。
连续漏极电流:130mA。
导通电阻:一般为 10Ω 左右(不同测试条件下会有差异),在 5V 测试电压下,部分规格可达 4.7Ω。
栅源阈值电压:最大值为 2V。
功率耗散:225mW。
工作温度:最高可达 150℃。
产品特点:
小尺寸封装:采用 SOT-23 封装,体积小巧,能有效节省电路板空间,适合小型化电子产品设计。
符合汽车级标准:具备 AEC-Q101 认证和 PPAP 能力,可靠性高,可应用于汽车电子等对可靠性要求严苛的领域。
环保设计:无铅,符合 RoHS 标准,满足环保要求。
应用领域:
电源管理模块:可用于低电压、低功耗的电源开关控制,实现对电源通断的控制。
电池管理:在电池保护电路中发挥作用,用于控制电流,保护电池,延长电池使用寿命,也可用于监测电池电压等。
信号开关:能在信号切换和路由控制电路中使用,凭借其低导通电阻和高速开关特性,保证信号质量,实现信号的快速切换。
LED 驱动:可控制 LED 的开关,还能通过脉冲宽度调制(PWM)等方式调整 LED 亮度。