类别分立半导体产品
晶体管FET，MOSFET单 FET，MOSFET
制造商Infineon Technologies
系列SIPMOS®
包装卷带（TR）
零件状态Digi-Key 停止提供
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）300 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14 nC @ 10 V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）410 pF @ 25 V
FET 功能-
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
等级汽车级
资质AEC-Q101
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
