1 特性
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
– 器件温度等级 1：–40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
– 器件 HBM ESD 分类等级 2
– 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
• 3V 至 65V 输入范围
• 反向输入保护低至 –65V
• 低静态电流：运行时 35 µA（最大值）
• 3.3 µA（最大值）低关断电流（EN = 低电平）
• 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
• 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
• 集成型 29 mA 升压稳压器
• 快速响应反向电流阻断：0.5 µs
• 高达 100 kHz 的有源整流
• 可调节过压保护
• 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
• 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
• 与 LM74721-Q1 引脚对引脚兼容
2 应用
• 汽车电池保护
– ADAS 域控制器
– 出色的音频放大器
– 音响主机
– 网关
3 说明
LM74720-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器(GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，实现反向输入保护和输出电压保持功能。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100 kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35 µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3 μA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。
