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制造商: Ampleon
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管极性: Dual N-Channel
技术: LDMOS
Id-连续漏极电流: 100 mA
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
工作频率: 1.5 GHz
增益: 18 dB
输出功率: 200 W
最小工作温度: -
最大工作温度: + 225 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-1121A-5
封装: Tray
商标: Ampleon
通道数量: 2 Channel
产品类型: RF MOSFET Transistors
工厂包装数量: 20
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 500 mV, + 11 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.25 V
零件号别名: 934066856112
单位重量: 4 g
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