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制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
晶体管类型: Bipolar
技术: Si
晶体管极性: NPN
工作频率: 9 GHz
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
集电极—发射极最大电压 VCEO: 15 V
集电极连续电流: 70 mA
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
集电极—基极电压 VCBO: 20 V
高度: 1 mm
长度: 3 mm
Pd-功率耗散: 150 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
类型: RF Bipolar Small Signal
宽度: 1.4 mm
零件号别名: BFR520,215
单位重量: 201 mg
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