NCE30H11G_NCEP40ND80G导读
除了上述适用于电动车控制器的NCE80H12以外，南山电子还提供风华阻容感，长晶二三极管MOS管，爱普生有源无源晶振等。
日前，Vishay Intertechnology， Inc. 宣布，推出温度系数（TCR）低至 2 ppm/K，0603、0805和1206外形尺寸新型器件，扩充其TNPU e3系列汽车级高精度薄膜扁平片式电阻。
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SUD50P06-15-GE3
。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
Vishay Draloric TNPU e3系列电阻具有TNPW e3产品公认的可靠性并具有更高的精度，TCR低，公差不大于 0.02 %，具有优异的长期稳定性—例如，在额定功率P70条件下，1，000小时最大阻值变化率≤ 0.05 %。这种独特技术特性使这款经过AEC Q200认证的电阻非常适合用于测试测量、汽车、工业、医疗和通信设备中运算放大器和传感器检测电路等应用。
该公司创始人Felix Zandman是一位科学家、发明家和企业家，拥有71项专利，写过四本书和许多论文，曾获得美国电子工业荣誉奖章，法国荣誉勋章等众多奖项。Vishay由Felix Zandman博士在1962年创立，以他自己的4千美元积蓄和其表兄Alfred P. Slaner的资助起家，不断发展成为纽约证券交易所上市的“财富1000 强企业”。。
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这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺，在超高真空室内，在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础，而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积，这些器件可产生高很多的纵横比，进而导致沿着电阻的场强非常低。要知道，局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。与厚膜电阻相比，通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善，这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz，如图2所示。
对于Vantam的模拟信号通道(包括低通滤波器[LPF]、负反馈电路[NFB]、前置放大器IC、IV转换器及头戴耳机放大电路)的微调，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式电阻。。去年，当VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF电阻(如图1所示)能够提供出色的声音质量后，开始指定使用Vishay产品。过去几年中，由于专注于提供音频性能差异化，该公司转向薄膜技术。
NCE3075Q NCE3015S NCE3400E NCE3065K NCE3095AK 。
NCE2060K NCE2090K NCE20H11K NCE20H18 NCE20H20 。
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锂电池主要由两大块构成，电芯和锂电池保护板PCM。
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