SI1032R-T1-GE3

製造商: Vishay
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: SC-75-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 20 V
Id - C連續漏極電流: 200 mA
Rds On - 漏-源電阻: 5 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 6 V, + 6 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 400 mV
Qg - 閘極充電: 750 pC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 280 mW
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET
系列: SI1
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 0.8 mm
長度: 1.575 mm
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
寬度: 0.76 mm
零件號別名: SI1032R-GE3
每件重量: 2 mg