摘要：YAGEO XSemi 的半导体 N 沟道和 P 沟道 MOSFET 系列采用适合表面贴装应用的封装
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种使用金属氧化物栅电极的压控场效应晶体管。YAGEO XSemi 的功率 MOSFET（也称为功率晶体管）具有低导通电阻和高开关速度，适用于各种应用，包括模拟和数字电路。可用封装广泛用于商业和工业表面贴装应用。
与 BJT 不同，MOSFET 与载流通道电隔离，有助于降低器件的功耗。MOSFET 在三个电压区域工作：三极管、饱和和截止。下面显示的方程演示了这些区域（点击放大）。
YAGEO XSemi 区域要求表图片
特性
表面贴装封装
符合 RoHS 标准，无卤素
低栅极电荷
+150°C 最高工作温度
N 沟道 MOSFET
20 V 至 700 V 漏源电压
高达 300 A 漏极电流，VGS @ 10V4
P 沟道 MOSFET
20 V 至 700 V 漏源电压
高达 300 A 漏极电流
双 N 通道
100 V 漏源电压
高达 2.1 A 漏极电流
不对称 N 沟道
30 V 漏源电压
高达 85 A 漏极电流
互补 N 通道和 P 通道
16 V、30 V 和 100 V 漏源电压
高达 12 A 漏极电流
应用
低压应用
开关式电源
商业和工业表面贴装应用
电信系统
消费类电子产品
