MASTERGAN1L 和 MASTERGAN4L 是采用氮化镓 HEMT SiP 的 600 V 半桥驱动器，与 MasterGaN1 相比，具有改进的待机功耗并支持更高的开关频率。
MASTERGAN1L 和 MASTERGAN4L 的一个主要特点是紧凑。由于更高的氮化镓开关频率以及驱动器和氮化镓开关在同一封装中的高度集成，可以实现比基于 MOSFET 开关的电源小四倍的高功率密度电源。MASTERGAN1L 和 MASTERGAN4L 具有针对氮化镓 HEMT 优化的离线驱动器的鲁棒性，可实现快速、有效、安全的驱动和布局简化。离散氮化镓开关的轻松设计管理可能很困难，但嵌入式驱动器可以管理氮化镓开关，从而简化电源设计。
特性
降低物料清单成本
能效
性能稳健
简化的电路板布局
电源系统级封装 (SiP) 集成
半桥驱动器和 GaN 晶体管
输入引脚张力与宽电压范围兼容且不受器件 VCC 的影响
3.3 V 至 15 V 兼容输入
联锁自动管理
联锁功能
