NCE3095G_NCEP50P80AK导读
MOS管是电压驱动型器件，只要栅极G和源级S间给一个适当电压，源级S和D间导电通路就形成。作为驱动部分的开关管，MOS管的主要被关注点是耐压，耐流值以及开关速度。
VentureCraft是在这方面打头阵的一家公司，其在高分辨率便携式放大器、音乐播放器和头戴耳机放大器(包括广受欢迎的SounDroid Vantam产品线)研发领域处于领先水平。尽管高分辨率技术目前在音频市场上才刚刚起步，但其演变已然展开。。
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NCE6990
Vishay Draloric TNPU e3系列电阻具有TNPW e3产品公认的可靠性并具有更高的精度，TCR低，公差不大于 0.02 %，具有优异的长期稳定性—例如，在额定功率P70条件下，1，000小时最大阻值变化率≤ 0.05 %。这种独特技术特性使这款经过AEC Q200认证的电阻非常适合用于测试测量、汽车、工业、医疗和通信设备中运算放大器和传感器检测电路等应用。
该公司创始人Felix Zandman是一位科学家、发明家和企业家，拥有71项专利，写过四本书和许多论文，曾获得美国电子工业荣誉奖章，法国荣誉勋章等众多奖项。Vishay由Felix Zandman博士在1962年创立，以他自己的4千美元积蓄和其表兄Alfred P. Slaner的资助起家，不断发展成为纽约证券交易所上市的“财富1000 强企业”。。
NCE3019AS NCE3045G NCE3400AY NCE30ND07S NCE8601B 。
MOS管3306产品特征 1、RDS(on)=7mΩ@VGS=10V 2、无铅绿色设备 3、低电阻开关，减少导电损耗 4、高雪崩电流。
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NCEP85T30T
NCE3020K NCE3025Q NCE3035K NCE3025G NCE3030K 。
NCE4612SP NCE30H32VD NCE3402 NCE3402A NCE30H21 。
这两个因素使Vishay的MELF电阻成为具有低噪声要求的高端音频应用的选择。Vishay的MELF电阻生产运用先进的真空溅射工艺，在超高真空室内，在十分光滑的铝衬底上沉积一层具有极高微观结构质量的专有镍铬合金。这种精密内部结构为低噪声性能奠定了理想基础，而电阻的圆柱形状又进一步增强了低噪声性能。凭借在相同焊盘尺寸下比扁平片式电阻大3.14倍的表面积，这些器件可产生高很多的纵横比，进而导致沿着电阻的场强非常低。要知道，局部电场强度是产生电流噪声的主要来源。与厚膜电阻相比，通常可提供约-40 dB V/Hz的频谱密度改善，这个数字在薄膜电阻情况下约为-10 dB V/Hz，如图2所示。
对于Vantam的模拟信号通道(包括低通滤波器[LPF]、负反馈电路[NFB]、前置放大器IC、IV转换器及头戴耳机放大电路)的微调，VentureCraft以前依靠含碳的厚膜片式电阻。。去年，当VentureCraft得知Vishay的薄膜MELF电阻(如图1所示)能够提供出色的声音质量后，开始指定使用Vishay产品。过去几年中，由于专注于提供音频性能差异化，该公司转向薄膜技术。
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NCE25TD120WT NCE25TD120VT NCE15TD120LT NCE25TD120LT NCE40TD135LT 。
NCE30TD120UT NCE40TD120UT NCE40TD120VT NCE30TD120BP NCE25TD120BT 。
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