ROHM Semiconductor R6049YN N沟道功率MOSFET为开关应用提供高速开关和低导通电阻。这些单通道增强模式器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有600V漏源击穿电压、22A或±49±A连续漏极电流以及65nC总栅极电荷。ROHM R6049YN N沟道功率MOSFET采用TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项。
特性
_低导通电阻
_快速开关
_驱动电路可以非常简单
_Si技术
_增强沟道模式
_通孔安装
_无卤素铸模复合物
_无铅电镀，符合RoHS指令
规范
_漏极-源极击穿电压：600V
_连续漏极电流：±22A或±49A
_脉冲漏极电流：±147A
_漏极-源极导通电阻：82mΩ
_±30V栅极-源极电压
_栅极-源极阈值电压范围：4V或6V
_最大零栅极电压漏极电流：100µA
_最大栅极-源极漏电流：±100nA
_最大拉电流：49A
_最大源极-漏极电压：1.5V
_栅极电阻：1.0Ω（典型值）
_反向恢复电荷：6.5μC（典型值）
_峰值反向恢复电流：34A（典型值）
_典型栅极电荷
_总计：65nC
_源极：21nC
_漏极：30nC
_栅极平台电压：7V（典型值）
_功率耗散：90W或448W
_典型电容
_输入：2940pF
_输出：100pF
_有效输出
_能量相关：100pF
_时间相关：650pF
_单脉冲雪崩
_电流：2.8A
_能量：208mJ
_典型时间
_导通延迟：38ns
_上升：33ns
_关断延迟：91ns
_下降：19ns
_反向恢复：380ns
_工作温度范围：-55°C至+150°C
_TO-220AB-3、TO-220FM-3和TO-247G-3封装选项
