根据外媒报道，SiC 在汽车领域（尤其是 800V 电动汽车领域）的主导地位推动了价值数十亿美元的市场，而 Power GaN 则将其影响力扩展到消费技术和汽车领域，预计在智能手机 OVP 领域将拥有 10 亿台机会。RF GaAs 预计将迎来复兴，与 5G 和汽车连接保持一致，而 RF GaN 在国防、电信和航天工业中找到了自己的利基市场，并将目光投向高功率应用。在光子学领域，InP和GaAs处于领先地位，其中InP在人工智能应用的推动下复苏，而GaAs光子学由于各种市场动态而经历了温和的增长。尽管 MicroLED 的广泛采用之路仍是渐进的，但它仍展现出潜力。
重塑计算机科学格局：主要参与者的战略举措和供应链动态
化合物半导体衬底厂商不断制定新的策略来扩大其产品组合，寻求扩大其市场份额。Wolfspeed 处于领先地位，引领功率 SiC 的 SiC 衬底供应。向大型 8 英寸晶圆厂和扩大材料产能的战略转变标志着未来十年雄心勃勃的目标。与此同时，相干公司 (Coherent) 已成为光子器件领域的主要参与者，并作为功率和射频应用的 SiC 衬底供应商占据主导地位。与 SEDI 在 RF GaN 领域的合作以及与 GE 一起进入功率 SiC 器件领域，增强了其从衬底到器件的竞争优势。
AXT、Sumitomo Electric、Freiberger 和 SICC 在 GaAs、InP 和半绝缘 SiC 衬底领域处于领先地位，旨在通过扩展到其他 CS 材料来实现收入增长。业界人士正在研究 GaAs 和 InP 基板在 RF、光子学和 ?LED 应用中的协同作用。与此同时，中国对从中国出口镓原材料的新规定也使得CS衬底厂商调整了原材料的战略供应。这些新的战略物资是什么？我们会看到对 CS 基板价格的影响吗？
彻底改变 CS：过渡到更大的基板释放新的行业潜力
化合物半导体 (CS) 技术展示了各个领域的各种进步。事实上，SiC行业正在蓬勃发展，各厂商都在关注扩张和投资。例如，6” 晶圆仍然是 SiC 的主流，尽管 Wolfspeed 对 8” MHV 晶圆厂的 1.2B 美元投资刺激了 2023 年第 1 季度的收入。研发重点是提高 SiC 晶圆产量，包括 Soitec 和 Sumitomo Mining 的工程衬底等创新。 Infineon等主要IDM厂商以晶锭和晶圆分割技术为主，Power GaN主要采用6英寸GaN-on-Si，8英寸GaN-on-Si则随着Innoscience、意法半导体、Infineon等厂商的扩展而逐渐普及。正在努力获得与 SiC 类似的吸引力。创新旨在垂直器件结构并使用 QST 等新衬底提高性能。
在 RF 业务中，硅基氮化镓正在为与碳化硅基氮化镓等现有技术竞争的新机会铺平道路。光子学顺应人工智能的浪潮，催生高数据速率激光器。InP Photonics 是一个处于增长阶段的成熟市场。AI能否推动InP向6英寸过渡？与此同时，GaAs 探索由 MicroLED 驱动的 8 英寸制造。MicroLED 与 OLED 竞争，面临产量和效率挑战，其成功受到质疑，但通过大量投资获得动力。
苹果的 8 英寸 microLED 智能手表计划可能会推动行业从 6 英寸过渡8英寸基板，释放新的市场潜力。InP Photonics 是一个处于增长阶段的成熟市场。AI能否推动InP向6英寸过渡？与此同时，GaAs 探索由 MicroLED 驱动的 8 英寸制造。MicroLED 与 OLED 竞争，面临产量和效率挑战，其成功受到质疑，但通过大量投资获得动力。苹果的 8 英寸 microLED 智能手表计划可能会推动行业从 6 英寸过渡8英寸基板，释放新的市场潜力。InP Photonics 是一个处于增长阶段的成熟市场。AI能否推动InP向6英寸过渡？与此同时，GaAs 探索由 MicroLED 驱动的 8 英寸制造。MicroLED 与 OLED 竞争，面临产量和效率挑战，其成功受到质疑，但通过大量投资获得动力。苹果的 8 英寸 microLED 智能手表计划可能会推动行业从 6 英寸过渡8英寸基板，释放新的市场潜力。
