您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻HGTG11N120CND

HGTG11N120CND

来源: 深圳市盈腾兴电子科技有限公司 发布时间:2023-12-06

公司名: 深圳市盈腾兴电子科技有限公司

联系人:李小姐

微信:13728681908

手机:13728681908

电话:0755-82736697/82739634

传真:0755-82701952

地址:深圳市福田上步工业区101栋4楼H18

摘要:HGTG11N120CND
品牌
安森美
封装
TO-247
批号
21+
数量
161616
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS

封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
43 A
Pd-功率耗散
298 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG11N120CND
集电极最大连续电流 Ic
43 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
集电极连续电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
零件号别名
HGTG11N120CND_NL
单位重量
6.390 g
可售卖地
全国
型号
HGTG11N120CND

该公司相关新闻