IPW65R070C6 MOSFET是一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管，它具有高功率密度和低开关损耗的特点，适用于各种功率电子应用。该器件采用先进的封装技术和材料，能够在高温和高压环境下稳定工作，具有优异的可靠性和耐久性。
IPW65R070C6 MOSFET具有低导通电阻和快速开关速度，能够有效地降低能量损耗和提高系统效率。其优秀的电特性和稳定的性能使其成为各种功率电子设备中的理想选择，包括电源逆变器、电机驱动器、电源管理和光伏逆变器等领域。
此外，IPW65R070C6 MOSFET还具有良好的热特性和电气特性，能够在高温环境下保持稳定的工作状态，确保设备的长期可靠性和性能。其先进的设计和制造工艺使其具有优异的电气参数和可靠性指标，能够满足各种苛刻的应用要求。
总之，IPW65R070C6 MOSFET作为一种高性能的功率半导体器件，具有广泛的应用前景和市场需求。它的优异性能和可靠性使其成为各种功率电子系统中的重要组成部分，将在未来的电子领域中发挥重要作用。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 53.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 170 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 391 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C6
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 6 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 17 ns
240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 90 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.21 mm
单位重量: 6 g
