摘要：优势渠道
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-71-6
晶體管極性: N-Channel
配置: Dual
Vds - 漏-源擊穿電壓: 40 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓: - 40 V
源極截止電壓: 6 mV
Vgs=0 時的漏極-源極電流: 12 mA
Id - C連續漏極電流: 2 mA
Rds On - 漏-源電阻: -
Pd - 功率消耗 : 400 mW
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: LSK389
封裝: Bulk
品牌: Linear Integrated Systems
互導 - 最小值: 8 mS
最大漏柵電壓: 10 V
產品類型: JFETs
原廠包裝數量: 500
子類別: Transistors
每件重量: 390 mg
