IPW60R099P7XKSA1是英飞凌（Infineon Technologies）公司生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），以下是该产品的主要说明：
1. 功率MOSFET：IPW60R099P7XKSA1是一款功率MOSFET，用于高功率应用，如电源管理、电机驱动、逆变器等。
2. N沟道MOSFET：该MOSFET为N沟道型，具有低导通电阻和高开关速度，适用于高效能和高频率应用。
3. 高电压和电流能力：IPW60R099P7XKSA1具有较高的耐压能力和电流承受能力，能够应对高电压和大电流的工作环境。
4. 低导通电阻：该MOSFET具有低导通电阻，能够降低功率损耗和提高效率。
5. 高温工作能力：IPW60R099P7XKSA1具有较高的温度工作范围，能够在高温环境下可靠工作。
6. 封装和引脚配置：该MOSFET采用小型封装和标准引脚配置，方便安装和连接。
7. 应用领域：IPW60R099P7XKSA1广泛应用于各种功率应用领域，如电源管理、电机驱动、逆变器、电动车充电器等。
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 31 A
Rds On-漏源导通电阻: 77 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 117 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS P7
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 89 ns
典型接通延迟时间: 23 ns
单位重量: 6 g
