IS42S32160C-75BL是一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片，具有以下主要特点和功能：
1. 存储容量：IS42S32160C-75BL具有32Mb（32兆比特）的存储容量，可以存储大量数据，适用于各种应用场合。
2. 速度：该芯片的速度等级为-75，表示它的存取时间为75纳秒。越小的存取时间表示存储器响应速度越快。
3. 接口：IS42S32160C-75BL采用Synchronous DRAM (SDRAM)的接口方式，具有快速的数据传输能力。它可以通过同步数据线与处理器或其他设备进行通信。
4. 电源电压：该芯片的工作电源电压为3.3V，符合大多数现代系统的电源要求。
5. 独立的读/写操作：IS42S32160C-75BL具有独立的读和写操作能力，可以同时进行读写操作。这有助于提高存储器的并发性和性能。
6. 自刷新功能：该芯片支持自刷新功能，可以周期性地刷新存储数据，保持数据的可靠性和稳定性。
7. 低功耗设计：IS42S32160C-75BL具有低功耗设计，可以在节能的同时提供高性能的数据存取。
制造商: ISSI
产品种类: 动态随机存取存储器
RoHS: 环保
类型: SDRAM
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: BGA-90
数据总线宽度: 32 bit
组织: 16 M x 32
存储容量: 512 Mbit
最大时钟频率: 133 MHz
访问时间: 6 ns
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 3 V
电源电流—最大值: 260 mA
最小工作温度: 0 C
最大工作温度: + 70 C
系列: IS42S32160C
商标: ISSI
高度: 1 mm
长度: 13 mm
湿度敏感性: Yes
产品类型: DRAM
包装数量：240
子类别: Memory & Data Storage
宽度: 8 mm
