摘要：MAX30102EFD+T DMTH10H017LPDQ-13 SQ7415AEN-T1_GE3 TPS7B8233QDGNRQ1
DMTH10H017LPDQ-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI5060-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 59 A
Rds On-漏源导通电阻: 17.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 28.6 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 1.5 W
