场效应管(MOSFET) BUK7506-55A127 NXP(恩智浦)

型号： BUK7506-55A127
品牌： NXP(恩智浦)
封装： TO-220AB
描述：类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：55V 连续漏极电流(Id)：75A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@25A,10V

零件号别名：BUK7506-55A
典型关闭延迟时间：155 ns
工厂包装数量：50
上升时间：115 ns
功率耗散：300 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：110 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220AB
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0063 Ohms
漏极连续电流：154 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP