制造商: STMicroelectronics
RoHS: 是
技术: Si
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 900 V
Id-连续漏极电流: 5.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 46.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 140 W
通道模式: Enhancement
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 5 S
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 45 ns
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 2 g
