制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 135 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 188 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
系列: OptiMOS-T2
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 41 ns
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 24 ns
包装数量：1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 35 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB18N4S41XT SP000705694 IPB180N04S401ATMA1
单位重量: 1.600 g
