摘要：2 W、0.5 GHz 至 3.0 GHz、28 V、GaN MMIC 具有高击穿电压
CMPA0530002S 是氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，基于单片微波集成电路 (MMIC)。MMIC 功率放大器在输入端匹配到 50 Ω。CMPA0530002S 采用 3 mm x 4 mm 表面贴装双扁平无引线 (DFN) 封装，采用 28 V 电源轨运行。在降低功率的情况下，晶体管可以在 28 V 以下低至 20 VDD 的电压下运行，同时保持高增益和高效率。
特性
18 dB 小信号增益
2.9 W 典型 PSAT
高达 28 V 工作电压
高击穿电压
高工作温度
尺寸：0.118” x 0.157” x 0.033”
应用
民用和军用通信
宽带放大器
电子战
工业、科技和医疗 (ISM)
雷达
