CSD19537Q3

技术参数
极性N-CH
耗散功率2.8 W
漏源极电压(Vds)100 V
连续漏极电流(Ids)50A
上升时间3 ns
输入电容(Ciss)1680pF @50V(Vds)
下降时间3 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)2.8W (Ta), 83W (Tc)
封装参数
安装方式Surface Mount
引脚数8
封装VSON-Clip-8
外形尺寸
长度3.3 mm
宽度3.3 mm
高度1 mm
封装VSON-Clip-8
物理参数
材质Silicon
工作温度-55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期正在供货
包装方式Tape & Reel (TR)