制造商:ON Semiconductor产品种类:IGBT 晶体管RoHS:是技术:Si封装 / 箱体:TO-247-3L安装风格:Through Hole配置:Single集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V集电极—射极饱和电压:1.8 V栅极/发射极最大电压:25 V在25 C的连续集电极电流:80 APd-功率耗散:555 W最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 175 C系列:FGH40T120SMD封装:Tube工作温度范围:- 55 C to + 175 C商标:ON Semiconductor / Fairchild栅极—射极漏泄电流:+/- 400 nA产品类型:IGBT Transistors工厂包装数量:450子类别:IGBTs
