製造商: ROHM Semiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: HSOP-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 60 V
Id - C連續漏極電流: 36 A
Rds On - 漏-源電阻: 12.7 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.3 V
Qg - 閘極充電: 26 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 27 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
品牌: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 8 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 40 ns
標準開啟延遲時間: 16 ns
零件號別名: RS1L120GN
每件重量: 771.020 mg
