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BU406G

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2023-03-15

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摘要:BU406G
製造商: onsemi
產品類型: 雙極結晶體管 - BJT
RoHS: 詳細資料
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-220-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 200 V
集電極-基極電壓VCBO: 400 V
發射機-基極電壓VEBO: 6 V
集電極-發射極飽和電壓: 1 V
集電極最大直流電流: 7 A
Pd - 功率消耗 : 60 W
增益帶寬積 fT: 10 MHz
最低工作溫度: - 65 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: BU406
封裝: Tube
品牌: onsemi
連續集電極電流: 7 A
高度: 9.28 mm
長度: 10.28 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 50
子類別: Transistors
技術: Si
寬度: 4.82 mm
每件重量: 6 g

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