摘要：优势渠道
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
70A（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.2mOhm @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
65 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4180 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），132W（Tc）
工作温度
175°C
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）
封装/外壳
8-SOIC（0.197"，5.00mm 宽）
基本产品编号
XPH3R206
