CSD19532KTTT
类别 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 Texas Instruments
系列 NexFET?
包装 卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel?
零件状态 在售
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 200A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 5.6 毫欧 @ 90A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 3.2V @ 250μA
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 250W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 DDPAK/TO-263-3
封装/外壳 TO-263-4，D2Pak（3 引线 + 接片），TO-263AA
漏源电压（Vdss） 100 V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） 57 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 5060 pF @ 50 V
基本产品编号 CSD19532
