NTMFS5C460NLT1G
来源:
深圳市瑞冠伟业科技有限公司
发布时间:2023-02-01
摘要:NTMFS5C460NLT1G
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
78A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.5 毫欧 @ 35A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
23 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),50W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线
基本产品编号
NTMFS5