DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI5060-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 49 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 83 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.7 ns
系列: DMTH43M8
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 23.5 ns
典型接通延迟时间: 5.2 ns
单位重量: 97 mg