IPD60R2K1CEAUMA1
来源：
深圳市瑞冠伟业科技有限公司
发布时间：2021-06-24
摘要：IPD60R2K1CEAUMA1
製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 3.7 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.1 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V， + 20 V
Vg
IPD60R2K1CEAUMA1
製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 3.7 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.1 Ohms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V， + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 6.7 nC
最低工作溫度: - 40 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 38 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: CoolMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
系列: CoolMOS CE
寬度: 6.22 mm
品牌: Infineon Technologies
下降時間: 50 ns
濕度敏感: Yes
產品類型: MOSFET
上升時間: 7 ns
原廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 30 ns
標準開啟延遲時間: 7 ns
零件號別名: IPD60R2K1CE SP001396904
每件重量: 330 mg
